環球晶、朋程光電展 展現尖端研發成果

【記者柯安聰台北報導】由財團法人光電科技工業協進會主辦的「第31屆國際光電大展」在10月25日~27日於台北南港展覽館一館展出為期3天的科技盛宴。作為在半導體技術領域領先的公司，環球晶圓（6488）與母公司中美矽晶（5483）集團旗下轉投資事業-朋程科技（8255）同時參展，各自推出化合物半導體的最新成果。

此次光電展環球晶圓將聚焦於8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品，展現其深耕化合物半導體產業多年的技術優勢。碳化矽晶體因需於極高溫的密閉環境下生長，長晶爐的熱場設計及坩堝材質等因素增加了設備和操作的複雜性。環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時進一步降低長晶成本。藉由卓越的技術控制、生產效率和持續的研究開發，環球晶圓克服碳化矽長晶的技術困難，將碳化矽（SiC）長晶成功推進至8吋，為客戶提供高品質、高性能的碳化矽材料。

碳化矽高硬度與高脆性使得後續晶圓加工過程非常困難。奠基於晶圓加工的先進技術，環球晶圓以更高的製程精度與更有效的晶圓處理方法成功實現碳化矽晶圓的超薄加工，於展場推出6吋90µm及8吋350µm碳化矽超薄拋光晶圓。超薄碳化矽晶圓在輕量化、散熱性能、熱傳導、高頻率操作、元件微型化和材料成本等方面具有優勢，是高性能半導體元件的理想選擇。環球晶圓的碳化矽晶圓包含4~6吋半絕緣晶片與6~8吋導電型碳化矽晶片，全方位產品可以滿足客戶多樣化需求，多領域的應用擴展。

氮化鎵異質磊晶存在諸多技術困難，例如晶格不匹配、應力和缺陷等問題，環球晶圓專注研發，成功推出全系列氮化鎵異質磊晶產品，包括矽基板、碳化矽基板和藍寶石基板等。多樣的基板選擇可以滿足不同的需求，全方位拓展終端應用。

朋程科技此次展出包含：碳化矽(SiC)功率模組、IGBT功率模組、SiC MOSFET Discrete、SiC Diode Discrete、Si IGBT Discrete及功率元件晶圓等。朋程在原有燃油車發電機二極體市佔率第1，深耕燃油車發電機之技術優勢，未來在全球節能減碳趨勢下，電動車將取代燃油車，碳化矽(SiC)功率模組、IGBT功率模組將成為未來功率模組市場成長主力，朋程此次展出主打碳化矽(SiC)功率模組及IGBT功率模組。

朋程從燃油車發電機二極體供應商角色朝向提升附加價值的化合物半導體之功率模組發展，積極研發與生產車用及工業用功率元件，除布局SiC IGBT模組外，亦積極研發功率元件晶圓。新能源車快速發展，朋程正積極轉型產品結構。針對電動車關鍵零組件SiC模組，朋程朝SiC的IDM廠邁進，掌握IC設計、晶圓代工、封裝的一條龍生產。（自立電子報2023/10/26）

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