美光台中四廠 聚焦AI新應用
美光(Micron)6日啟用台灣台中四廠,美光總裁暨執行長梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)親自來台主持開幕典禮,美光台中四廠的啟用,將強化台灣美光DRAM卓越製造中心的地位,為AI世代及各式創新應用揭開新篇章。
據了解,Sanjay Mehrotra將偕同美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡蘭(Naga Chandrasekaran)、美光前段製造企業副總裁暨台灣美光董事長盧東暉、美光先進封裝技術開發處副總裁辛赫(Akshay Singh)以及政府官員蒞臨盛會。
美光成立45周年來,締造了無數創新科技,奠定其業界領導地位。因應AI浪潮來襲,美光亦推出新一代高頻寬記憶體(HBM3E),賦能未來AI應用,而台灣台中四廠將是美光深化在台承諾的實踐。
台灣是美光DRAM卓越製造中心之一,多達65%DRAM在台灣生產,未來台灣更將是最先進DRAM製造和先進封裝重鎮。
美光目前正在打造下一世代1-gamma製程,採用極紫外光(EUV)製程技術,計劃2025年上半年量產,1-gamma製程預期就會先在台中廠量產。
近期AI浪潮風起雲湧,HBM更在AI扮演重要角色,美光正積極擴大HBM布局,先前宣布推出業界首款8層堆疊(8-High)24GB的HBM3 Gen 2產品,已開始送樣,計畫2024年第一季放量出貨。
TrendForce指出,HBM是高階AI晶片上搭載的記憶體,屬於DRAM中的一個類別,主要由三大供應商三星(Samsung)、SK海力士(SK hynix)與美光供應。
隨著AI熱潮帶動晶片需求,對HBM需求量在2023年與2024年隨之提升,促使原廠紛紛加大HBM產能,展望2024年,HBM供給情況可望大幅改善。
而以規格而言,伴隨AI晶片需要更高效能,HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。
整體而言,在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高於前代產品的情形下,2024年HBM營收可望有顯著的成長。
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